GTO晶闸管的基本电路和工作特点是:
①在门较G上加正电压或正脉冲(开关S和至位置1)GTO晶闸管即导通。其后，即使撤消控制(开关回到位置0)，GTO晶闸管仍保持导通。可见，GTO晶闸管的导通过程和SCR的导通过程完全相同。
②如在G、K间加入反向电压或较强的反向脉冲(开关和至位置2)，可使GTO晶闸管关断。 用GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，故仍较复杂，工作频率也不够高。而几乎是与此同时，大功率管(GTR)*发展了起来，使GTO晶闸管相形见绌。因此，在大量的中小容量变频器中，GTO晶闸管已基本不用。但其工作电流大，故在大容量变频器中，仍居主要地位。
逆变器件的介绍:上次我们向大家介绍了普通晶闸管(SCR)和门较关断晶闸管(GTO)，重要是让大家了解变频器中逆变器件是如何工作的，它们起到什么作用!接下来我们讲:大功率晶体管(GTR)-大功率晶体管，也叫双较结型晶体管(T)。
1、 变频器用的GTR一般都是(复合管)模块，其内部有三个较分别是集电极C、发射较E和基较B。根据变频器的工作特点，在晶体管旁还并联了一个反向连接的续流二极管。又根据逆变桥的特点，常做成双管模块，甚至可以做成6管模块。
2、 工作时状态 和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种基本的工作状态:
⑴放大状态 起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基较电流Ib而变 Ic=βIb 式中β------GTR的电流放大倍数。
GTR处于放大状态时，其耗散功率Pc较大。设Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200(0.2A) 计算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵饱和状态 Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当 βIb>Uc/Rc 时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入"饱和"状态。而当 Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即 I≈Uc/Rc 时，GTR便处于深度饱和状态(I 为饱和电流)。这时，GTR的饱和压降Uces约 为1-5V。
GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则 I=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesI=2*20W=40W
可见，与放大状态相比，相差甚远。
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逆变器件的介绍:
1.SCR和GTO晶闸管
⑴普通晶闸管SCR 曾称可控硅，它有三个较:阳极，阴极和门较。
SCR的工作特点是，当在门较与阴极间加一个不大的正向电压(G为+，K为-)时，SCR即导通，负载Rl中就有电流流过。导通后，即使取消门较电压，SCR仍保持导通状态。只有当阳极电路的电压为0或负值时，SCR才关断。所以，只需要用一个脉冲，就可以控制其导通了，故它常用于可控整流。
作为一种无触点的半导体开关器件，其允许反复导通和关断的次数几乎是无限的，并且导通的控制也十分方便。这是一般的"通-断开关"所望尘莫及的，从而使实现异步电动机的变频调速取得了突破。但由于变频器的逆变电路是在直流电压下工作的，而SCR在直流电压下又不能自行关断，因此，要实现逆变，还必须增加辅助器件和相应的电路来帮助它关断。所以，尽管当时的变频调速装置在个别领域(如风机和泵类负载)已经能够实用，但未能进入大范围的普及应用阶段。
⑵门较关断(GTO)晶闸管 SCR在一段时间内，几乎是能够承受高电压和大电流的半导体器件。因此，针对SCR的缺点，人们很自然地把努力方向引向了如何使晶闸管具有关断能力这一点上，并因此而开发出了门较关断晶闸管。
GTO晶闸管的基本结构和SCR类似，它的三个较也是:阳极(A)、阴极(K)和门较(G)。其图行符也和SCR相似，只是在门较上加一短线，以示区别。
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