在变频器维修中我们经常会听到过压故障，但欠压故障也是变频器使用中常碰到的问题。其产生原因是主回路电压低于下限引起的保护动作或整流桥某一路损坏或电网瞬时停电、输入缺相等。
1.比较器检测
通过稳压管固定比较器一端的电压，被检测的电压取样后再与之比较，结果通过比较器输出。
2.ADC检测(模拟/数字转换器)
被检测的电压通过电阻降压取样后，落在ADC可检测的范围，可以通过程序设定电压的范围。
主电路中的储能电容，对运行中变频器过压、欠压影响很大。而变频器电路的各种零部件又有一定使用寿命的，所以一旦变频器零部件达到使用寿命就会带来故障的发生。像主电路中的储能电容或其它零部件的原因都有可能对主电路造成影响，从而使整个变频器发生故障。通常变频器停用时间过长，达到一年以上，则应对储能电容要做一次全面体检。
对长时间不用的变频器，如何来避免这种现象发生呢?
按照要求，停用的变频器应每隔两三个月通电-次，每次20~30分钟。对于长时问不用的电解屯容器，通电时，先加约50%的额定电压，只要加压时间在半小时以上，它的漏电流就会降下去，也就可以正常使用了。
此外，对使用年限较长(五年以上)的变频器，也一定要对储能电容器进行容量检测。运行中频繁跳欠电压故障，多数为直流电路的电容器容量不足、有容量下降或失容现象。
上海仰光电子科技有限公司专业维修各类工业、**、、化工、纺织、船舶、印刷；机器人、机械手等领域设备（伺服电机、伺服驱动器、变频器、触摸屏、开关电源、plc等）电路板的芯片级维修公司。和多家**生产企业建立了合作关系，主要服务于太阳能光伏、PVD镀膜、半导体薄膜、离子注入、刻蚀、平板显示、光盘、光电子LED等制造工艺以及、科研院校、技术研究所等设备的半导体电源、RF射频电源、RF匹配器、微波电源、高压电源、直流电源等维修维保。
故障判断
1、整流模块损坏
通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，更换整流桥。在现场处理故障时，应重点检查用户电网情况，如电网电压，有无电焊机等对电网有污染的设备等。
2、逆变模块损坏
通常是由于电机或电缆损坏及驱动电路故障引起。在修复驱动电路之后，测驱动波形良好状态下，更换模块。在现场服务中更换驱动板之后，须注意检查马达及连接电缆。在确定无任何故障下，才能运行变频器。
3、上电无显示
通常是由于开关电源损坏或软充电电路损坏使直流电路无直流电引起，如启动电阻损坏，操作面板损坏同样会产生这种状况。
4、显示过电压或欠电压
通常由于输入缺相，电路老化及电路板受潮引起。解决方法是找出其电压检测电路及检测点，更换损坏的器件。
5、显示过电流或接地短路
通常是由于电流检测电路损坏。如霍尔元件、运放电路等。
6、电源与驱动板启动显示过电流
通常是由于驱动电路或逆变模块损坏引起。
7、空载输出电压正常，带载后显示过载或过电流
通常是由于参数设置不当或驱动电路老化，模块损坏引起。
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4、三菱HOPE1、HOPE2系列、GPS 、GPS-2、 GPS-3系列、VFCL(SPVF)系列(包括电梯电路板，电梯变频门机，驱动板、电梯主板、门机控制板、轿厢显示板、门机变频器、变频器、操纵厢指令板、楼层召唤显示板、分频板维修等。)
5、通力3000 (小机房，无机房)、通力7000、通力扶梯
6、永大日立系列：(ENT、NTVF、Y95)
7、迅达系列：(迅达300P、迅达9300、扶梯、迅达MB-DS)
8、蒂森系列：(TE-E、TE-B、扶梯、TCM、MC1、MC2)
9、现代系列电梯:(STVF、STVF5、W-BT、ELEX4B)
10、 LG系列电梯：LG-SI210、LG-DL2、LG-DL1、LG-MGP、LG-MRL、LG-NEW DSS)11、诺比克电梯,三洋电梯,富士电梯，博林特电梯，佰斯特电梯，巨人电梯，通力电梯，康力电梯，永大电梯，东南电梯，崇友电梯，申龙电梯，铃木电梯，安迪斯，OTIS，三菱，通力，蒂森，迅达，富士达，星玛等电梯电路板维修。
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逆变器件的介绍:
1.SCR和GTO晶闸管
⑴普通晶闸管SCR 曾称可控硅，它有三个较:阳极，阴极和门较。
SCR的工作特点是，当在门较与阴极间加一个不大的正向电压(G为+，K为-)时，SCR即导通，负载Rl中就有电流流过。导通后，即使取消门较电压，SCR仍保持导通状态。只有当阳极电路的电压为0或负值时，SCR才关断。所以，只需要用一个脉冲，就可以控制其导通了，故它常用于可控整流。
作为一种无触点的半导体开关器件，其允许反复导通和关断的次数几乎是无限的，并且导通的控制也十分方便。这是一般的"通-断开关"所望尘莫及的，从而使实现异步电动机的变频调速取得了突破。但由于变频器的逆变电路是在直流电压下工作的，而SCR在直流电压下又不能自行关断，因此，要实现逆变，还必须增加辅助器件和相应的电路来帮助它关断。所以，尽管当时的变频调速装置在个别领域(如风机和泵类负载)已经能够实用，但未能进入大范围的普及应用阶段。
⑵门较关断(GTO)晶闸管 SCR在一段时间内，几乎是能够承受高电压和大电流的半导体器件。因此，针对SCR的缺点，人们很自然地把努力方向引向了如何使晶闸管具有关断能力这一点上，并因此而开发出了门较关断晶闸管。
GTO晶闸管的基本结构和SCR类似，它的三个较也是:阳极(A)、阴极(K)和门较(G)。其图行符也和SCR相似，只是在门较上加一短线，以示区别。
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